Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6535ENZC8
MOSFET N-CH 650V 35A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6535ENZ
R6535ENZC8 Hakkında
R6535ENZC8, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/35A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç denetimi işlevlerini gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 115mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık devre direnci sağlar. 102W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel sistemlerde, güç kaynakları, invertörler ve motor sürücülerinde kullanılır. Through-hole montajlı yapısı, ±20V maksimum gate gerilimi ve 110nC gate yükü özellikleriyle hızlı ve güvenilir komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 102W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 18.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.21mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok