Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6535ENZ4C13
650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6535ENZ4C
R6535ENZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6535ENZ4C13, 650V yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 35A sürekli drenaj akımı ve 115mΩ maksimum Rds(On) değeri ile, düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama devrelerinde kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertör devreleri, motor kontrolü ve diğer endüstriyel switching uygulamalarında yer alır. ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimi ve 150°C operasyon sıcaklığı ile yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilir. 110nC gate charge ve 2600pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 379W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 18.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.21mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok