Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6530KNZC17
MOSFET N-CH 650V 30A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6530KNZC
R6530KNZC17 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6530KNZC17, 650V drain-source geriliminde 30A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu yarı iletken bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 10V gate sürücü geriliminde 140mΩ maksimum Ron değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 56nC gate charge ve 2350pF input kapasitans değerleri sayesinde düşük anahtarlama kaybı karakteristiği gösterir. Maksimum 86W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. IGBT sürücü devreleri, endüstriyel inverter, power supply ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığına sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenli operasyon garantiler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok