Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6530KNZ4C13
650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6530KNZ4C
R6530KNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6530KNZ4C13, 650V drain-source voltaj ve 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu yüksek voltaj FET, 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 56nC maksimum gate charge ve hızlı anahtarlama özelliği ile endüstriyel güç elektronikleri, AC/DC konverterler, motor sürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanıma uygundur. ±20V gate voltaj aralığı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile güvenilir operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 305W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok