Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6530KNXC7G

650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6530KNXC7G

R6530KNXC7G Hakkında

R6530KNXC7G, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 30A N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 Full Pack paketlemesi ile sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama özelliği sağlar. 140mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi gerçekleştirir. 56nC gate charge ve 2350pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon sağlar. Sürücü voltajı 10V olup, ±20V maksimum gate-source voltajında çalışır. Sürekli dren akımı 30A ve maksimum güç dağılımı 86W'dir. İzoleli gate yapısı sayesinde hassas kontrol gerektiren devrelerde kullanılabilir. Endüstriyel şarj cihazları, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 960µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok