Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6530KNX3C16
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6530KNX3C
R6530KNX3C16 Hakkında
R6530KNX3C16, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş geriliminde 140mΩ maksimum on-state direnci sunarak verimli güç yönetimi sağlar. 150°C çalışma sıcaklığına kadar çıkabilen bu MOSFET, 307W maksimum güç tüketim kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 307W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok