Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6530ENZC8
MOSFET N-CH 650V 30A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6530EN
R6530ENZC8 Hakkında
R6530ENZC8, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde, inverter tasarımlarında ve endüstriyel enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. 140mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimliliği destekler. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile termal stabilite sağlar. Through-hole montajı için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok