Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6530ENZ4C13
650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6530ENZ4C
R6530ENZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6530ENZ4C13, 650V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu güç transistörü, 140mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük iletim kayıpları sağlar. 305W güç dağıtım kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Düşük gate charge (90nC) ve input capacitance (2100pF) değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar. SMPS, motor sürücüleri, UPS ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 305W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok