Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6530ENXC7G
650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6530EN
R6530ENXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6530ENXC7G, 650V drenaj-kaynak gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-channel MOSFET transistördür. 30A sürekli drenaj akımı ve 140mOhm maksimum on-resistance ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverterler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında ve ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilir. 90nC gate charge ve düşük parazitik kapasitans özellikleri ile hızlı ve kontrollü anahtarlama işlemi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok