Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6524KNZC8
MOSFET N-CH 650V 24A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6524KNZC
R6524KNZC8 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6524KNZC8, 650V drain-source gerilimi ve 24A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET'tir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerini yerine getirmek için tasarlanmıştır. 185mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç dönüşümü sağlar. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında 74W güç tüketebilmesi, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 45nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok