Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6524KNZ4C13
650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6524KNZ4C
R6524KNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6524KNZ4C13, 650V drain-source gerilim ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 24A sürekli drain akımı kapasitesi ve 185mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertör ve DC-DC dönüştürücü gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 245W maksimum güç tüketimi ile uzun ömürlü çalışma sağlar. 45nC gate charge ve 1850pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok