Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6524KNXC7G

650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6524KNXC7G

R6524KNXC7G Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6524KNXC7G, 650V drenaj-kaynak gerilimi ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 24A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 185mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özelliği gösterir. 45nC gate yükü ve 1850pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 150°C çalışma sıcaklığında 74W güç dağıtım kapasitesi bulunmaktadır. Güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve diğer anahtarlamaya dayalı güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate-kaynak gerilimi ve 5V eşik gerilimi ile kontrol devreleri için uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 11.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 750µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok