Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6524KNX3C16

650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
R6524KNX3C

R6524KNX3C16 Hakkında

R6524KNX3C16, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220AB paketine sahip olan bu bileşen, 24A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 185mOhm maksimum RDS(On) değerine sahiptir. 45nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, şarj kontrol devreleri, motor sürücü sistemleri ve yüksek gerilimli anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 253W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile uzun ömür ve güvenilir operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 253W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 11.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 750µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok