Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6524ENZ4C13
650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6524ENZ4C
R6524ENZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6524ENZ4C13, 650V dayanımlı N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 24A sürekli drain akımı ve 185mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 70nC gate charge ve 1650pF input capacitance özellikleriyle düşük gürültü karakteristiği sağlar. 245W maksimum güç kaybı kapasitesi, ±20V gate-source voltaj aralığı ve -150°C işletme sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalara, şarj cihazları ve inverter tasarımlarına uygundur. Through-hole montaj tipi ile PCB entegrasyonu sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok