Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6524ENXC7G
650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6524EN
R6524ENXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6524ENXC7G, 650V drain-source voltaj ve 24A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, 185mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. ±20V gate-source voltaj toleransı ve 70nC gate charge özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 150°C çalışma sıcaklığına ve 74W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Güç kaynağı uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok