Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6524ENJTL
MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6524ENJTL
R6524ENJTL Hakkında
R6524ENJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj kapasitesi ve 24A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 185mOhm (10V, 11.3A) maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 70nC gate charge ve 1650pF input capacitance özellikleriyle hızlı komutasyon gerektiren güç dönüştürme devreleri, enerji yönetim sistemleri, motor sürücüleri ve UPS uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 245W güç dağılımı kapasitesi ve ±20V gate-source gerilim sınırı ile güvenilir operasyon sunar. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok