Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6520KNZC17
MOSFET N-CH 650V 20A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6520KNZC
R6520KNZC17 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6520KNZC17, 650V drain-source voltaj ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı güç uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 205mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji verimliliği sunar. 68W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. Gate charge karakteristiği 40nC, input kapasitansi 1550pF'dir. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile +150°C arasında işletilmektedir. Through-hole montaj şekli ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir. İnverter, motor kontrol, DC-DC konvertör ve diğer güç elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok