Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6520KNZ4C13
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6520KNZ4C
R6520KNZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6520KNZ4C13, 650V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmış N-Channel MOSFET'dir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 205mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 10V gate sürüş geriliminde çalışan bileşen, 40nC gate charge ve 1550pF input kapasitans değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol marjı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı desteği ile çalışır. Yüksek gerilim uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok