Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6520KNX3C16
650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6520KNX3
R6520KNX3C16 Hakkında
R6520KNX3C16, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 20A N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 205mOhm (10V, 9.5A'de) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 220W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. ±20V Vgs toleransı ve 40nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliği barındırır. 150°C maksimum junction sıcaklığı ile yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 220W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205mOhm @9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok