Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6520ENZC8
MOSFET N-CH 650V 20A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6520
R6520ENZC8 Hakkında
R6520ENZC8, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V dayanıklı N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 20A sürekli dren akımı ve 68W güç dissipasyonu kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 205mΩ maksimum Rds(on) değeri ile iletim kayıplarını minimalize eder. Yüksek voltaj uygulamaları, endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. ±20V Vgs toleransı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile güvenilir performans sağlar. (Not: Bu ürün üretim dışı - Obsolete statüsündedir)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok