Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6520ENZC17

MOSFET N-CH 650V 20A TO3

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6520

R6520ENZC17 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6520ENZC17, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistörüdür. 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 205mΩ maksimum on-resistance değeri ile güç dönüştürme, anahtarlama ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. TO-3P-3 paketinde sağlanan bu bileşen, endüstriyel kontroller, SMPS (Switched Mode Power Supply), UPS sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate gerilim aralığı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı sayesinde geniş çalışma koşullarına adapte olabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 630µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok