Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6520ENZ4C13
650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6520ENZ4C
R6520ENZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor R6520ENZ4C13, 650V drain-source voltajına dayanıklı N-Channel MOSFET transistördür. 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 205mΩ maksimum on-state direnç (Rds On) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 61nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunarak enerji dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, AC-DC power supply sistemleri ve industrial elektrik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V gate voltaj aralığında çalışan bu transistör, 150°C maksimum junction sıcaklığında 231W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok