Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6520ENJTL
MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6520
R6520ENJTL Hakkında
R6520ENJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 650V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 20A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 205mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kaçak akım sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, endüstriyel enerji dönüştürücüler, AC/DC adaptörler ve solar inverterlerde uygulanır. 150°C çalışma sıcaklığı ve 231W güç saçılımı kapasitesi ile uzun vadeli güvenilir operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok