Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6515KNXC7G
650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6515
R6515KNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6515KNXC7G, 650V drain-source gerilim ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 15A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarda anahtarlama görevini gerçekleştirir. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, 10V gate sürücü geriliminde 315mΩ maksimum Ron değerine ulaşır. 27.5nC gate charge ve düşük input kapasitansı (1050pF) ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 60W güç yayınlayabilir. Enerji dönüşüm sistemleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 315mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok