Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6515KNX3C16

650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
R6515KNX3C

R6515KNX3C16 Hakkında

R6515KNX3C16, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/15A N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu high-speed anahtarlama elemanı, 315mΩ maksimum RDS(on) direnciyle düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. ±20V gate voltajı toleransı ve 27.5nC gate charge değeriyle hızlı komütasyon sağlar. 150°C'ye kadar çalışabilen bu bileşen, endüstriyel SMPS devreleri, motor sürücüleri, koruma devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through-hole montajlı yapısı geleneksel PCB tasarımlarına uygunluğunu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 315mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 430µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok