Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6515ENZC8
MOSFET N-CH 650V 15A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6515
R6515ENZC8 Hakkında
ROHM Semiconductor R6515ENZC8, 650V ile 15A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-3P-3 paket tipi ile Through Hole montajı destekler. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 60W güç tüketimine kadir olup, 315mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 40nC ve input capacitance 910pF karakteristikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde, motor sürücülerinde, inverter devrelerinde ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilir. Ürün şu anda üretimde kullanılmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 315mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok