Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6515ENZC17
MOSFET N-CH 650V 15A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6515ENZ
R6515ENZC17 Hakkında
R6515ENZC17, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V/15A N-Channel MOSFET'tir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 315mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 40nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel motor kontrolü, invertörler, güç kaynakları ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate voltajı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş çalışma aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 315mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok