Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6515ENXC7G
650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6515EN
R6515ENXC7G Hakkında
R6515ENXC7G, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 650V N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 315mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 40nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 60W güç dağılımı kapasitesi ile AC/DC dönüştürücüler, enerji yönetim devreleri, anahtarlı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yer alır. ±20V gate-source gerilimi aralığı esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 315mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok