Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6515ENJTL
MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6515EN
R6515ENJTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6515ENJTL, 650V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 315mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. 150°C'ye kadar çalışabilen kompakt tasarımı, güç yönetimi uygulamalarında, sürücü devreleri, AC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama elektriği devrelerinde kullanılır. 40nC gate charge ve 910pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı ile uygulamalarda sorunsuz entegrasyonunu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 184W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 315mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok