Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6511KNXC7G
650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6511K
R6511KNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor R6511KNXC7G, 650V drenaj-kaynak gerilimi ile çalışan 11A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu yüksek hızlı anahtarlama elemanı, 400mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 22nC gate şarj değeri ve 760pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 53W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç dönüşüm devreleri, motor sürücü uygulamaları, switched-mode güç kaynakları (SMPS) ve anahtarlanabilir güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok