Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6511KNJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6511KNJ
R6511KNJTL Hakkında
R6511KNJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source gerilim yeteneği ve 11A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 400mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate gerilimi ±20V aralığında çalışan bu MOSFET, endüstriyel güç dönüştürücüleri, sürücü devreleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -150°C çalışma sıcaklığı ve 124W maksimum güç dağılımı kapasitesi, zorlu ortam koşullarına dayanıklılığını gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 124W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok