Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6511KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6511KND3TL1
R6511KND3TL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6511KND3TL1, 650V drain-source voltaj ve 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. High-speed switching uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 400mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate drive voltajında çalışan bileşen, 22nC gate charge ve 760pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan R6511KND3TL1, endüstriyel güç dönüştürücüler, sürücü devreleri, anahtarlamali güç kaynakları ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 124W güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 124W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok