Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6511ENXC7G
650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6511EN
R6511ENXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6511ENXC7G, 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 400mOhm açık dirençle düşük kayıp özellikleri sunar. Gate yükü 32nC ve giriş kapasitansi 670pF olup, düşük gürültü karakteristikleri ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 53W güç yayma kapasitesine sahiptir. AC-DC dönüştürücüler, düzeltici devreler ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok