Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6511ENJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6511EN
R6511ENJTL Hakkında
R6511ENJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source gerilim dayanımı ve 11A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi gören bir güç transistörüdür. 400mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını sınırlandırır. Endüstriyel sürücü devreleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 124W güç yayabilme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 124W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok