Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6511END3TL1
650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6511END3TL1
R6511END3TL1 Hakkında
R6511END3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması için tasarlanmıştır. 11A sürekli dren akımı kapasitesi ve 400mΩ maximum on-resistance değeri ile doğru akım kontrolü sağlar. 32 nC gate charge ve 670 pF input capacitance özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen cihaz, 124W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, şarj denetleyicileri, UPS sistemleri ve endüstriyel motor kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 124W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok