Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6509KNXC7G
650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6509K
R6509KNXC7G Hakkında
R6509KNXC7G, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 9A rated N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu yüksek voltaj anahtarlama elemanı, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 585mΩ maksimum gate-to-source direnç değeri ile düşük kayıp şartlarında çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 48W güç dağıtımı kapasitesi ile PFC düzenleyicileri, SMPS ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. 16.5nC gate charge ve 540pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok