Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6509KNJTL
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6509KNJ
R6509KNJTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6509KNJTL, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 9A sürekli dren akımı kapasitesi ve 585mΩ tipik on-direnç değeri ile güç dönüşüm devrelerinde etkili çalışır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, invertörler, güç kaynakları ve motor sürücü devreleri gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile termal stabilite sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok