Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6509KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6509KND3TL
R6509KND3TL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6509KND3TL1, 650V drain-source gerilim değeri ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 9A sürekli dren akımı ve 585mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 10V gate drive geriliminde çalışır, 16.5nC gate charge ve 540pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliği sunar. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 94W güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok