Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6507KNXC7G
650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6507K
R6507KNXC7G Hakkında
R6507KNXC7G, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 7A N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu yüksek gerilim anahtarlama transistörü, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, inverterler, çevirici devreleri ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. 665mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 150°C'ye kadar çalışabilir ve 46W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. 10V gate sürme gerilimi ile standart sürücü devrelerine uyumludur. Yüksek gerilim uygulamalarında şalt frekansı yüksek olan devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 665mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok