Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6507KNJTL
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6507KNJ
R6507KNJTL Hakkında
R6507KNJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 665mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük kaybiyetli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 78W güç tüketim kapasitesi ile güç elektroniği, inverter, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate gerilimi aralığı ve 14.5nC gate charge özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 665mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok