Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6507KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6507
R6507KND3TL1 Hakkında
R6507KND3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 665mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. 14.5nC gate charge ve 470pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, solar inverterleri ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 665mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok