Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6507ENJTL
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6507EN
R6507ENJTL Hakkında
R6507ENJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 7A maksimum drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürü geriliminde 665mOhm RDS(on) değerine sahiptir. 78W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı derecesi ile endüstriyel elektronik devrelerde, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 665mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok