Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6507END3TL1
650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6507END3
R6507END3TL1 Hakkında
R6507END3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 7A N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük gürültü seviyesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 665mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 150°C çalışma sıcaklığına ve 78W maksimum güç dağılımına sahiptir. SMPS (Switched Mode Power Supply), AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. ±20V Gate voltajı aralığında çalışabilir ve 20nC Gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 665mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok