Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6504KNXC7G
650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6504KNXC7G
R6504KNXC7G Hakkında
R6504KNXC7G, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V 4A N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu yüksek voltaj FET, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.05Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 10nC gate charge ve 270pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur. ±20V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir. İçinden 4A sürekli drenaj akımı geçirebilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve induktif yük anahtarlamalarında tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 40W güç dağıtabilme kapasitesine sahiptir. Through-hole montajı ile standart PCB'lere doğrudan entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok