Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6504KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6504KND3
R6504KND3TL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6504KND3TL1, 650V ve 4A sürekli drenaj akımı desteği sunan N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile tasarlanmış bu komponen, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.05Ω maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V kapı-kaynak gerilimi aralığında çalışabilen transistör, maksimum 58W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 10nC kapı yükü ve 270pF giriş kapasitanı ile güç kaynağı devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir performans sunmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok