Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6504ENXC7G
650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6504EN
R6504ENXC7G Hakkında
R6504ENXC7G, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum drenaj akımı 4A olup, düşük kapı yükü (15nC) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 1.05Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. 150°C çalışma sıcaklığına kadar işletilabilmekte ve 40W güç dağılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Endüstriyel enerji dönüştürme, güç kaynağı sistemleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V Vgs aralığında çalışan komponentin 220pF giriş kapasitansi düşük gürültü performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok