Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6504END3TL1
650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6504END3TL
R6504END3TL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6504END3TL1, 650V daya dayanıklı bir N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4A sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.05Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Düşük kapı yükü (15nC @ 10V) ve düşük giriş kapasitesi (220pF @ 25V) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen bileşen, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığını tolere eder. Güç dönüştürme, şarj cihazları, motor kontrol devreler ve yüksek voltaj uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok