Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6076MNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6076MNZ1C
R6076MNZ1C9 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6076MNZ1C9, 600V ve 76A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 55mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 115nC ve input capacitance 7000pF özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel enerji dönüştürme sistemleri, motor kontrolü, elektriksel enerji yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Through Hole montaj tipiyle PCB'ye direkt bağlanır. Üretim durumu: Obsolete.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 740W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok