Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6076ENZ4C13
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6076ENZ4C
R6076ENZ4C13 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6076ENZ4C13, 600V drain-source geriliminde 76A sürekli akım kapasitesine sahip N-kanal MOSFET'tir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 42mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç dönüştürücüler, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C'ye kadar çalışabilir ve 260nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 735W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 44.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok