Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6076ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6076ENZ1C
R6076ENZ1C9 Hakkında
R6076ENZ1C9, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 76A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, endüstriyel anahtarlama ve enerji dönüştürme devrelerinde yer alır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 42mOhm RDS(on) değeri ile verimli açma-kapama işlemi sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 120W güç disipasyonu kapasitesi ile güç elektronikleri tasarımlarında tercih edilen bir devre elemanıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 44.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok